Новости про 28 нм

Этот шаг будет очень болезненным, ведь он отрежет компанию от современных высокотехнологичных комплектующих.

Китайская компания вынуждена искать альтернативные решения, и выход она видит в собственном производстве. Сообщается, что Huawei заключила партнёрский договор с Shanghai IC R&D по разработке производственных мощностей независимых от влияния США.

Будет интересно наблюдать за успехами Huawei в этой области. В отчёте говорится, что уже в этом году компания начнёт производство по 45 нм нормам, а переход на 28 нм произойдёт в конце 2021 года.

По словам президента Loongson Ху Веиву, процессор 3A4000 имеет вдвое большую производительность, чем предшественник 3A3000 и имеет аналогичную производительность AMD 28nm Excavator, которые были выпущены в 2015 году по 28 нм технологии.

Процессоры 3A4000 и 3B4000 используют микроархитектуру GS464V. Они строятся по 28 нм процессу FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) на заводе STMicroelectronics. Процессоры используют пакет FCBGA-1211. Внутри чипов расположились 4 ядра, 8 МБ кэша L3, а тактовая частота находится в диапазоне от 1,8 ГГц до 2 ГГц.

Процессор содержит контроллер памяти, поддерживающий модули DDR4-2400 с динамической частотой и напряжением. Энергопотребление 3A4000 составляет от 30 Вт до 50 Вт при частотах от 1,5 ГГц до 2,0 ГГц. Серверная модель 3B4000 предлагает код коррекции ошибок.

Также процессоры имеют встроенные механизмы защиты от внутренних уязвимостей, таких как Meltdown и Spectre. Процессоры поддерживают шифрование по стандартам MD5, AES и SHA.

Примечательно, что уже на этот год компания строит большие планы. Так, Loongson планирует представить на китайский рынок четырёхъядерный процессор 3A5000 и 16-ядерный 3C5000. Эти CPU будут более современными, получат частоту до 2,5 ГГц и будут изготовлены по 12 нм нормам.

В Intel описали свою память на основе передачи момента спина (spin-transfer torque (STT)-MRAM), которая изготавливается по 22FFL. Сама корпорация называет её «первой памятью MRAM, основанной на FinFET технологии». Несмотря на то, что Intel называет свой продукт готовым для коммерческого использования, компания не уточнила, кто будет изготавливать и использовать это решение. Однако слухи гласят, что память уже поставляется некоторым клиентам.

В то же время Samsung изготовила STT-MRAM по 28 нм процессу FDSOI.

Память типа MRAM может стать заменой для DRAM и NAND, а также может заменить встраиваемую SRAM, благодаря меньшим задержкам чтения и записи, высокой надёжности и высокой целостности данных. Кроме того, MRAM легче масштабировать, чем SRAM, которую нельзя уменьшить также, как другие элементы рядом с ней.

Объединив свои усилия с NXP компания Samsung завершила изготовление MRAM чипов. Данная память будет использована в автомобильной электронике, средствах мультимедиа и в электронике для дисплейных панелей.

Компания Synopsys сообщила, что её платформа разработки полностью сертифицирована для использования в 28 нм техпроцессе FD-SOI предприятия Samsung Foundry. Компания отметила, что её средство разработки и связанные планы обработки совместимы с системой дизайна Synopsys Lynx Design System, включая описания, методологии проектирования и лучший опыт.

Джехон Парк, старший вице-президент Samsung Foundry, заявил, что технология 28FD-SOI позволяет создавать память, работающую как на высоких, так и низких напряжениях, что делает её идеальной для применения в IoT и автомобильных системах. Также память обладает превосходной программной коррекцией ошибок, что делает её идеальным выбором для отраслей с высокими требованиями к надёжности.

Пока до нового поколения CPU Zen ещё далеко, AMD решила выпустить промежуточный вариант мейнстрим сегмента, который основан на 28 нм ядрах Excavator. Чип получил несколько увеличенную производительность, особенно учитывая небольшие частоты, показанные в бенчмарке.

На тестирование попал образец AMD FX 9800P, установленный в некое устройство от Lenovo. По всей вероятности, это APU, состоящий из четырёх ядер Excavator с номинальной частотой 2,7 ГГц, и 8 ядер архитектуры GCN 1.2. Чип изготовлен по 28 нм технологии. Примечательно, что при работе на частоте 1,85 ГГц в многоядерном тесте процессор показал 5596 баллов, что очень близко к Intel i5-6200U, работающему на частоте 2,4 ГГц. Весьма неплохо, если частоты были указаны верно.

Чипы Bristol Ridge пополнят линейку мейнстрим продуктов от AMD на базе вычислительных ядер Excavator. Эти APU будут устанавливаться в сокеты AM4 в настольных системах и FP4 в ноутбуках. У нового процессора практически нет отличий от Carrizo, разве что в Bristol Ridge используется память DDR4. Преимуществом также может выступать переход на 28 нм производство, позволив несколько увеличить энергоэффективность. В остальном же новые APU идентичны A[x]-8xxx Carrizo.

Таким образом, Bristol Ridge станет для AMD последней доработкой старой архитектуры перед переходом к новым чипам Zen.

Фирма полагает, что 14 нм производство не будет востребовано до второй половины 2017 года, поэтому в короткой перспективе фирма сфокусируется на усовершенствовании существующих технологий, чтобы помочь своим заказчикам легче конкурировать на рынке IoT.

Таким образом, перенеся промышленный запуск 14 нм FinFET производства на вторую половину 2017 года компания, как и все её конкуренты, не будет выпускать 20 нм процессоры, сразу перейдя к более тонким технологиям, успешно осваиваемым Samsung и TSMC.

Как известно, Samsung уже начала изготавливать 14 нм FinFET процессоры, а TSMC приступила к коммерческому выпуску 16 нм FinFET продукции в третьем квартале этого года.

Примечательно, что TSMC активно работает над производственными процессами будущего, включая чипы с 10 нм и 7 нм элементами. В текущем квартале компания планирует провести аттестацию 10 нм технологии, а первые образцы заказной продукции будут выпущены в начале следующего года.

Это означает, что Intel до конца года будет полностью полгаться на чипы SoFIA 3G/3G-R, и рискует не успеть выпустить в конце 2016 года второе поколение процессоров SoFIA 4G, которые должны производиться по 14 нм технологии.

В настоящее время Intel обладает лишь технологией, которая объединяет независимый модуль 4G связи XMM с процессором Atom, однако данное решение непривлекательно для растущего рынка Китая ввиду его высокой стоимости. Компания работает над интеграцией двух чипов в одной SoC. Эта система с кодовым именем SoFIA начала разрабатываться ещё в 2014 году.

Теперь же, в связи с невозможностью выпустить в этом году процессоры SoFIA 4G, Intel остаётся только выпускать гибридные сдвоенные решения, на которые фирме будет нелегко найти покупателя.

Как известно, GPU для карт серии R300 будут изготавливаться по 28 нм технологии, поскольку 20 нм техпроцесс ещё не готов для таких микросхем. Однако следующее поколение видеокарт AMD, условно называемое Arctic Islands, с кодовым именем Greenland, будут изготовлены по 14 нм технологии FinFET. Это означает, что AMD пропустит этап 20 нм производства, перейдя сразу к более совершенному производству. Также стало известно, что в картах Greenland будет использоваться второе поколение памяти HBM с увеличенной пропускной способностью и ёмкостью. Ожидается, что производством чипов по 14 нм FinFET технологии займётся Globalfoundries.

Всё это означает, что нас ожидают ещё более мощные графические процессоры с намного меньшим, чем сейчас, энергопотреблением. Будет интересно узнать, что же AMD сможет представить в противовес NVIDIA.

Документ раскрывает множество интересных фактов о будущем этих недорогих SoC. В частности, стало известно, что в этом году фирма не выпустит 20 нм чипов. Детальные спецификации остаются пока неизвестными, однако известно, что самым технологичным решением станет MT67XX, 64 битный восьмиядерный чип. И именно он будет изготавливаться по 20 нм технологии, однако данный процессор увидит свет лишь в самом конце 2015 или начале 2016 года. Новая SoC, пока не получившая точного названия, будет поддерживать связь LTE Cat 6. Данный процессор в плане производительности будет находиться между мейнстрим и премиальными категориями.

Флагманским решением на этот год станет SoC MT6795, восьмиядерный процессор со структурой big.LITTLE. Он будет содержать 4 ядра Cortex-A57 и 4 ядра Cortex-A53, тактовая частота процессора составит 2,2 ГГц. Также процессор получит интегрированный 4G-модем. Производиться он будет, как и прочие чипы этого года, по 28 нм технологии.

Также ко второму и третьему кварталу компания наметила выпуск целого ряда процессоров начального сегмента, при этом почти все из них будут построены на архитектуре Cortex-A53.

Также стоит отметить два процессора начального сегмента MT6580 и MT6570 с низкой стоимостью. Эти процессоры основаны на устаревшей архитектуре Cortex-A7 и поддерживают только 3G сеть. Оба этих процессора получат тактовую частоту в 1,3 ГГц, но MT6580 получит 4 ядра, а MT6570 только два.

Особенно это касается графической составляющей процессора. Так, согласно информации из SiSoft Sandra, чип A10 7850K имеет производительность в 270 Мпикс/с, в то время как Intel HD5200 Iris Pro покажет 200 Мпикс/с. А вот Carrizo показывает целых 600 Мпикс/с, что вдвое больше, чем у Kaveri и втрое, чем у Iris Pro. Для ещё лучшего сравнения можно отметить, что видеокарта R7 265 обладает точно такой же производительностью, такой же производительностью обладает и консоль PlayStation 4.

Сайт Anandtech задал вопрос AMD о возможности выпуска новых APU с увеличенной производительностью и энергоэффективностью для настольных ПК. В компании ответили, что такое действительно может произойти, однако это будет ограниченная серия процессоров в пакете BGA, которая будет предназначена для OEM партнёров компании.

Новый APU будет, как известно, изготавливаться по 28 нм технологии, как и Kaveri, при этом энергопотребление снизится с 35 Вт до 15 Вт в моделях Carrizo-L, предназначенных для ультрамобильных устройств.